一种基于VB的电路辅助分析系统

介绍了利用VisualBasic程序设计语言实现电路辅助分析系统的软件设计过程。该程序的运行使该系统可根据用户输入的电路的拓扑信息及相关电路元件的参数值 ,对电路进行计算 ,最终得出电路各结点的结点电压 ,各支路的电压和各支路的电流值 ,从而达到分析设计电路的目的。VisualBasic程序设计语言简单易学 ,使该系统编程简单 ,并具有良好的用户界面     

在SOI基上设计实现D/A驱动的高压LDMOS开关电路

设计实现SOI基上带有D/A驱动的高压LDMOS功率开关电路,利用D/A变换的灵活性,运用数字电路与高压模拟电路混合设计方法,实现数字控制的耐压为300V的LDMOS功率开关电路．该功率集成电路芯片的实现,为SOI高压功率开关电路提供了一种更为方便快速的数字控制设计方法,同时也为功率系统集成电路提供了一种有效的实验验证,从而证实了功率系统集成的探索在理论上以及工程上具有一定的可行性．     

高压RESURF LDMOS开态击穿模型

建立了高压RESURF LDMOS的开态击穿模型.该模型考虑了载流子的速度饱和现象和寄生双极性晶体管的影响,获得了开态下LDMOS漂移区中的电场分布.基于该模型可以计算出高压 RESURF LDMOS的电学SOA.数值模拟和实验结果部分验证了模型的正确性.该模型有助于深入理解LDMOS开态击穿的物理过程,可用于指导高压LDMOS的设计.     

全耗尽SOI MOSFETs阈值电压解析模型

提出了一种新的全耗尽SOI MOSFETs阈值电压二维解析模型.通过求解二维泊松方程得到器件有源层的二维电势分布函数,氧化层-硅界面处的电势最小值用于监测SOI MOSFETs的阈值电压.通过对不同栅长、栅氧厚度、硅膜厚度和沟道掺杂浓度的SOI MOSFETs的MEDICI模拟结果的比较,验证了该模型,并取得了很好的一致性.     

防止窃电的检验方法

在反窃电的过程中 ,要求用电管理人员对计量装置进行现场检验时 ,所用设备携带方便 ,检验方法简单。介绍用PD - 2 0掌上型 (单相 )电能表现场校验仪与数字钳形万用表对低压计量装置的现场检验方法     

非线性规划法在矿井高压配电网无功补偿优化中的应用研究

根据矿井高压配电网的特点,用非线性规划法对矿井高压配电网的无功补偿进行优化,建立无功补偿的目标函数和约束条件,确定了无功补偿的最佳容量及其最优分布。经不同类型的矿井应用表明,其理论与实际运行结论能较好地吻合。无功补偿效益明显提高,减少的线损率约为46％,投资咽收年限约为1a。     

温度对MOA电阻片主要电气性能的影响

对 MOA电阻片在不同温度下几项主要电气特性试验结果进行了分析 ,阐述了温度对电阻片主要电气特性的影响 ,给出了详细的性能参数随温度的变化曲线 ,使人们对国产电阻片的温度特性有一个较全面的了解和掌握 ,以采取有效的措施大幅度地改善电阻片的固有温度特性 ,提高电阻片的综合电气性能 ,减少高压、超高压 MOA的损坏事故率 ,发展高性能特高压 MOA,提高 MOA的运行可靠性     

6kV电机四星带间隙组合式过电压保护器的选型与试验

从真空开关操作过电压导致高压电动机绝缘损坏的机理着手,分析了过电压保护器应具备的条件,确定了较常用的带串联间隙四星形过电压保护器的选型、安装、定期试验方法及注意事项。认为,避雷器额定电压的选择应不小于9.94kV;避雷器持续运行电压的选择应大于最高运行线电压即7.2kV,并小于工频放电电压值;避雷器残压值的选择应低于15.9kV;工频放电电压的选择值根据负载不同,应在9.3kV～12.48kV。     

关于低压断路器的选择与使用

介绍了低压断路器的使用要求、短路分析能力的选择、四级断路器的正确使用、断路器的安装接线等 ,指出设计应用中的问题应引起有关技术人员的高度重视     

工厂实用节电技术

阐述了工厂节电的意义以及所采取的方式和主要途径 ,着重提出了提高工厂功率因数和工厂负荷率的方法 ,分析了工厂经济运行电压对工厂节电的重要影响